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三極管與場效應管選用技巧

2019年06月19日 16:18 ? 次閱讀

場效應晶體管挑選的必要性

隨著電子設備升級換代的速度,大家對于電子設備性能的標準也愈來愈高,在某些電子設備的電路設計與研發中,不僅是開關電源電路中,也有在攜帶式電子設備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應晶體管,因此正確挑選場效應晶體管是硬件工程師常常碰到的難點之一,也是極其重要的1個環節,場效應晶體管的挑選,有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費,挑選場效應晶體管,可以從下列六大技巧下手。

1、溝道類型

挑選好場效應晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應晶體管。在典型的功率使用中,當1個場效應晶體管接地,而負載接入到干線電壓上時,該場效應晶體管就組成了低壓側開關。在低壓側開關中,應選用N溝道場效應晶體管,它是出自于對關閉或導通電子元件所要電壓的考慮。當場效應晶體管接入到總線及負載接地時,就需要用高壓側開關。一般會在這一拓撲中選用P溝道場效應晶體管,這又是出于對電壓驅動的考慮。

三極管與場效應管選用技巧

2、額定電壓

明確需用的額定電壓,或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大,電子元件的成本就越高。按照實踐證明,額定電壓應該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護,使場效應晶體管不會失靈。

就挑選場效應晶體管來講,務必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓,即最大VDS。了解場效應晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關鍵。我們須在整個操作溫度范圍內檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍,保障電路不會無效。需要考慮的其它安全因素包含由開關電子產品(如電機或變壓器)引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同;一般來說,便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。

三極管與場效應管選用技巧

3、額定電流

該額定電流應是負載在全部狀態下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似,保證選定的場效應晶體管能經受這一額定電流,即便在系統造成尖峰電流時。2個考慮的電流情形是持續模式和脈沖尖峰。在持續導通模式下,場效應晶體管處在穩態,這時電流持續通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌(或尖峰電流)流經電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流,只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。

4、導通損耗

在實際情況下,場效應晶體管并不一定是理想的電子元件,歸因于在導電過程中會有電能消耗,這叫做導通損耗。場效應晶體管在“導通”時好比一個可變電阻,由電子元件的RDS(ON)所確認,并隨溫度而明顯變動。電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS(ON)估算,因為導通電阻隨溫度變動,因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應晶體管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微升高。關于RDS(ON)電阻的各類電氣叁數變動可在生產商出示的技術資料表里得知。

5、系統散熱

須考慮二種不一樣的情況,即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結果,由于這一結論提供更大的安全余量,能確保系統不易失靈。在場效應晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數據;電子元件的結溫相當于最大環境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環境溫度+[熱阻×功率耗散])。依據這個式子可解出系統的最大功率損耗,即按定義相當于I2×RDS(ON)。我們已即將通過電子元件的最大電流,能夠估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外,也要搞好電路板以及場效應晶體管的散熱。

雪崩擊穿指的是半導體器件上的反向電壓超出最高值,并產生強電場使電子元件內電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力,最后提高電子元件的穩健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。

6、開關性能

影響開關性能的叁數有好多,但最關鍵的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在電子元件中產生開關損耗,因為在每一次開關時都要對它們充電。場效應晶體管的開關速度因而被減少,電子元件效率也降低。為計算開關過程中電子元件的總耗損,要計算開通過程中的耗損(Eon)和關閉過程中的耗損(Eoff)。場效應晶體管開關的總功率可用如下方程表達:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關性能的影響最大。

晶體三極管選用技巧

必須了解晶體管的類型和材料,常用的有NPN和PNP兩種,這兩種管工作時對電壓的極性要求不同,所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。三極管額材料有鍺材料和硅材料,它們之前最大的差異就是其實電壓不一樣。在放大電路中,假如使用同類型的鍺管代替同類型的硅管,反之替換,一般都是可以的,但都要在基極偏置電壓上進行必要的調整。因為他們的起始電壓不一樣,但是在脈沖電路和開關電路中不同材料的三極管是否能互換必須進行具體的分析,切不可盲目代換。

場效應管選用技巧

選取場效應管只要三步:

1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)

2.確定場效應管的額定電流,選好額定電流以后,還需計算導通損耗。

3.確定熱要求,設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最壞的結果計算,因為這個結果提供更大的安全余量,能夠確保系統不會失效。

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芯片里面有幾千萬的晶體管是怎么實現的

要想造個芯片, 首先, 你得畫出來一個長這樣的玩意兒給Foundry (外包的晶圓制造公司)

發表于 2019-04-29 16:15 ? 1228次閱讀
芯片里面有幾千萬的晶體管是怎么實現的

集成電子元件晶體管的工作原理

所有我們用到的電子產品中,無論是手機 電腦中都存在著無數的晶體管,那么這些晶體管是如何工作的呢?

發表于 2019-04-29 15:15 ? 406次閱讀
集成電子元件晶體管的工作原理

BD680A 4.0 A,80 V PNP達林頓...

信息該系列塑料,中功率PNP達林頓晶體管可用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 與BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互補, 680A 相當于MJE 700,701,702,703 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 0次閱讀
BD680A 4.0 A,80 V PNP達林頓...

BD678A 4.0 A,60 V PNP達林頓...

信息該系列塑料,中功率PNP達林頓晶體管可用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 與BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互補, 680A 相當于MJE 700,701,702,703 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 2次閱讀
BD678A 4.0 A,60 V PNP達林頓...

BD678 4.0 A,60 V PNP達林頓雙...

信息該系列塑料,中功率PNP達林頓晶體管可用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 與BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互補, 680A 相當于MJE 700,701,702,703 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 10次閱讀
BD678 4.0 A,60 V PNP達林頓雙...

BD675 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

信息中功率NPN達林頓雙極功率晶體管用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體結構 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681與BD676,676A,678,678A,680,680A,682互補 BD677,677A,679,679A相當于MJE 800,801,802,803 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 0次閱讀
BD675 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

BD676 中功率PNP達林頓雙極功率晶體管

信息該系列塑料,中功率PNP達林頓晶體管可用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 與BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互補, 680A 相當于MJE 700,701,702,703 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 0次閱讀
BD676 中功率PNP達林頓雙極功率晶體管

BD675A 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

信息中功率NPN達林頓雙極功率晶體管用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體結構 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681與BD676,676A,678,678A,680,680A,682互補 BD677,677A,679,679A相當于MJE 800,801,802,803 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 0次閱讀
BD675A 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

BD677 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

信息中功率NPN達林頓雙極功率晶體管用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體結構 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681與BD676,676A,678,678A,680,680A,682互補 BD677,677A,679,679A相當于MJE 800,801,802,803 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 2次閱讀
BD677 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

BD676A 4.0 A,45 V PNP達林頓...

信息該系列塑料,中功率PNP達林頓晶體管可用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 與BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互補, 680A 相當于MJE 700,701,702,703 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 2次閱讀
BD676A 4.0 A,45 V PNP達林頓...

BD677A 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

信息中功率NPN達林頓雙極功率晶體管用作互補通用放大器應用中的輸出設備。 高直流電流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整體結構 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681與BD676,676A,678,678A,680,680A,682互補 BD677,677A,679,679A相當于MJE 800,801,802,803 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 0次閱讀
BD677A 中功率NPN達林頓雙極功率晶體管

BCV26 PNP達林頓晶體管

信息該器件設計用于要求極高電流增益(電流達800 mA)的應用。 采用工藝61設計。This product is general usage and suitable for many different applications.

發表于 2019-04-18 19:41 ? 0次閱讀
BCV26 PNP達林頓晶體管

BCV27 NPN達林頓晶體管

信息該器件設計用于集電極電流達到1.0A時需要極高電流增益的應用。 采用工藝05設計。This product is general usage and suitable for many different applications.

發表于 2019-04-18 19:41 ? 10次閱讀
BCV27 NPN達林頓晶體管

BC516 PNP達林頓晶體管

信息BC516 該器件設計用于要求極高電流增益(電流達1 mA)的應用。 采用工藝61設計。

發表于 2019-04-18 19:41 ? 10次閱讀
BC516 PNP達林頓晶體管

BC517 NPN雙極達林頓晶體管

信息此NPN雙極達林頓晶體管設計用于開關應用,如打印錘,繼電器,電磁閥和燈驅動器。該器件采用TO-92封裝,專為中等功率應用而設計。 可提供無鉛封裝 電路圖、引腳圖和封裝圖

發表于 2019-04-18 19:41 ? 13次閱讀
BC517 NPN雙極達林頓晶體管

BUB323Z NPN達林頓雙極功率晶體管

信息 BUB323Z是一款平面,單片,高壓雙極功率達林頓晶體管,內置有源齊納二極管鉗位電路。該器件專為未鉗位,電感應用而設計,如電子點火,開關調節器和電機控制。 集成高壓有源鉗位 緊密鉗位電壓窗口(350 V至450 V) )保證在-40°C至+ 125°C溫度范圍內 在實時點火電路中100%測試夾緊能量能力 指定的高直流電流增益/低飽和電壓全溫度范圍 設計保證始終在SOA中運行 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...

發表于 2019-04-18 19:40 ? 28次閱讀
BUB323Z NPN達林頓雙極功率晶體管

BU323Z NPN達林頓雙極功率晶體管

信息 BU323Z是一款平面,單片,高壓功率達林頓,內置有源齊納鉗位電路。該器件專為非鉗位電感應用而設計,如電子點火,開關穩壓器和電機控制。 集成高壓有源鉗位 緊鉗位電壓窗口(350 V至450 V) )保證在-40°C至+ 125°C溫度范圍內 在實時點火電路中100%測試夾緊能量能力 在全溫度下指定的高直流電流增益/低飽和電壓范圍 設計保證始終在SOA中運行 提供塑料SOT-93 / TO-218型或TO-220封裝 這些設備可用無鉛封裝。此處的規格適用于標準和無鉛器件。有關具體的無鉛可訂購部件號,請訪問我們的網站www.onsemi.com,或聯系您當地的安森美半導體銷售辦事處或代表。...

發表于 2019-04-18 19:40 ? 27次閱讀
BU323Z NPN達林頓雙極功率晶體管

BSS138 50V N溝道邏輯電平增強模式場效...

信息該N溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術生產。 這款產品旨在最大限度地降低導通阻抗,同時提供穩固、可靠、快速的開關性能。 BSS138特別適合低壓、低電流應用(如小型伺服電機控制、功率MOSFET柵極驅動器)以及其他開關應用中。 0.22 A, 50 V. R = 3.5 ? @ V = 10 V. R = 6.0 ? @ V = 4.5 V 高密度單元設計可實現極低的 R。 堅固而可靠。 緊湊型工業標準SOT-23表面貼裝封裝。...

發表于 2019-04-18 19:40 ? 98次閱讀
BSS138 50V N溝道邏輯電平增強模式場效...

BSS123 N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管

信息該 N 溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度 DMOS 技術生產。 這款產品專為最大限度地降低通態電阻并提供耐用、可靠的快速開關性能而設計。 BSS123 特別適合于小型伺服電動機控制、功率MOSFET柵極驅動器等低電壓、低電流應用,以及其他開關應用。0.17 A, 100 V, R = 6 ? @ V = 10 V0.17 A, 100 V, R = 10 ? @ V = 4.5 V高密度單元設計可實現極低的 R堅固而可靠緊湊的工業標準 SOT-23 表面貼裝封裝...

發表于 2019-04-18 19:40 ? 14次閱讀
BSS123 N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管

BSP52 NPN雙極達林頓晶體管

信息此NPN雙極達林頓晶體管設計用于開關應用,如打印錘,繼電器,電磁閥和燈驅動器。該器件采用SOT-223封裝,專為中等功率表面貼裝應用而設計。 SOT-223封裝可使用波峰焊或回流焊進行焊接。形成的引線吸收焊接過程中的熱應力,消除模具損壞的可能性 12 mm卷帶和卷盤使用BSP52T1訂購7英寸/ 1000單元卷軸使用BSP52T3訂購13英寸/ 4000單位卷軸 PNP補充是BSP62T1 無鉛封裝可用 用于汽車和其他應用的S和NSV前綴需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖...

發表于 2019-04-18 19:40 ? 5次閱讀
BSP52 NPN雙極達林頓晶體管

BSP50 NPN達林頓晶體管

信息BSP50 該器件設計用于在集電極電流達 500 mA 的情況下需要極高電流增益的應用。 采用工藝03設計。

發表于 2019-04-18 19:40 ? 0次閱讀
BSP50 NPN達林頓晶體管

4N38M 6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸...

信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔離器的光電晶體管類型。 一個砷化鎵紅外發光二極管與一個高壓NPN硅光電二極管耦合。 該器件提供標準塑封6引腳雙列直插封裝。高電壓:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓

發表于 2019-04-18 19:38 ? 2次閱讀
4N38M 6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸...

4N37M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)

發表于 2019-04-18 19:38 ? 0次閱讀
4N37M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

4N36M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)

發表于 2019-04-18 19:38 ? 56次閱讀
4N36M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

4N35M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)

發表于 2019-04-18 19:38 ? 60次閱讀
4N35M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

4N25M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息通用光電耦合器包含一個砷化鎵紅外發光二極管,用于驅動硅光敏晶體管,采用標準塑料六引腳雙列封裝。IF = 10 mA、VCE = 10 V 時的最小電流傳輸比:?4N27M 和 4N28M 為 10%?4N25M 和 4N26M 為 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 為 100%安全和法規認證:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分鐘)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓

發表于 2019-04-18 19:38 ? 72次閱讀
4N25M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

4N28M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)

發表于 2019-04-18 19:38 ? 42次閱讀
4N28M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

4N26M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 時的最小電流傳輸比:?4N27M 和 4N28M 為 10%?4N25M 和 4N26M 為 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 為 100%安全和法規認證:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分鐘)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓

發表于 2019-04-18 19:38 ? 51次閱讀
4N26M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

4N27M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。AC-DC商用電源消費型設備工業級電機

發表于 2019-04-18 19:38 ? 51次閱讀
4N27M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦...

55GN01MA RF晶體管,10V,70mA,...

信息 55GN01MA是射頻晶體管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN單MCP用于UHF寬帶低噪聲放大器應用。 高截止頻率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向傳輸增益= 10dB典型值(f = 1GHz)

發表于 2019-04-18 19:37 ? 39次閱讀
55GN01MA RF晶體管,10V,70mA,...

55GN01FA RF晶體管,10V,70mA,...

信息 55GN01FA是射頻晶體管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN單SSFP,用于UHF寬帶低噪聲放大器應用。 高截止頻率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向傳輸增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封裝允許應用集小 無鹵素合規。

發表于 2019-04-18 19:37 ? 47次閱讀
55GN01FA RF晶體管,10V,70mA,...

50A02CH 雙極晶體管,-50V,-0.5A...

信息 50A02CH是雙極晶體管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP單用于低頻通用放大器應用。 高集電極電流能力 低集電極至發射極飽和電壓(電阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低導通電阻(Ron) 無鉛,無鹵素且符合RoHS標準

發表于 2019-04-18 19:37 ? 44次閱讀
50A02CH 雙極晶體管,-50V,-0.5A...
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